Número de Producto del Fabricante:
TSM2309CX RFG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2309CX RFG-DG
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 3.1A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventario:
68912 Pcs Nuevos Originales En Stock
12899524
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ENVIAR
TSM2309CX RFG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
425 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
TSM2309
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
TSM2309CXRFGTR
TSM2309CXRFGCT
TSM2309CXRFGDKR
TSM2309CX RFGTR-DG
TSM2309CX RFGDKR
TSM2309CX RFGCT
TSM2309CX RFGCT-DG
TSM2309CX RFGTR
TSM2309CX RFGDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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